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ISSN: 2333-9721
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OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析

Keywords: 薄膜晶体管,IV方程,开关比,优化措施,参数调节

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拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题. 最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究NA(有效杂质浓度)和Ts(有源层厚度)对开关比的影响规律. 本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下“设计余量”.

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