基于SOI工艺下600V LDNMOS的设计与分析

基于SOI工艺，运用SILVACO公司的工艺仿真（Athena）和器件仿真（Atlas）模拟软件，结合实际流片测试结果完成对600V LDNMOS的设计和器件性能分析. 整个器件采用环形版图结构， 以优化器件的横向尺寸，漏端漂移区通过渐变掺杂技术（VLD）调节器件表面横向电场分布， 并在漂移区上方加入一定厚度的槽氧层，从而增大器件的源漏击穿电压. 流片测试结果（Vth=1.7 V，Idsat=48 mA，BV=550 V）表明，器件的各项指标基本达到预期目标，实现了设计和分析的目的.