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Keywords: 邻苯二甲酸氢铊,晶体,生长速率,面扩散
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采用静态体现显微法测量在饱和点为322.15K下水溶液中TAP晶体各显露面的生长速率R,然后将实验数据用电子计算机归纳出R与σ的关系。用BCF面扩散模型对生长机理进行了探讨,认为TAP晶体的水溶液生长机制是面扩散起主导作用。
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