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ISSN: 2333-9721
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合成参数对MOCVD法生长氧化锌纳米针的影响

Keywords: 纳米针,化学气相沉积,氧化锌,无催化剂

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使用脉冲液滴注入式MOCVD, 在金膜裹覆的MgO(100)衬底上于500℃合成氧化锌纳米针. 纳米针为晶态并且在XRD谱线上主要呈现ZnO的4个衍射强峰(100)、 (002)、 (101)及(004). 金没有起到催化剂的作用, 在较薄(2.4nm)金膜上生长的纳米针密度较高且直径较小. 500℃是ZnO纳米针较佳的合成温度, 在温度不低于550℃时合成的是片状ZnO. 每周期前驱体的注入剂量对纳米针的形貌有显著影响. 充足的注入剂量(6.8mg/周期)能够保证纳米针合成, 而较低的注入剂量(3.4mg/周期)将会合成较短且直径较小的纳米针.

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