利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H2S硅微传感器

通过反应溅射,以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H2S薄膜气敏元件.实验表明,纳米SnO2对H2S具有较高的敏感度,对干扰气体的选择性较好.性能测试表明,元件的特性与敏感材料的厚度、溅射气压等工艺参数有关系,但敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用,气敏薄膜有一个最佳厚度范围.通过X射线衍射仪进行材料的微观分析,表明SnO2的平均粒径大小为8.5 nm.