用CVD法合成高TcNb3Ge实用超导体的基体温度理论研究

？Nb3Ge的临界温度Tc最高(23.2K),它具有三高(高Tc、Jc、Hc_2)一低(低损耗)的优良特性[1]。广为世界各国探索高临界温度超导工作者的研究中心课题,其中化学气相沉积法(简称CVD法)研究最为广泛,至今尚未看到有Nb3Ge实用长带制备成功的报道,而炽热基体温度是合成Nb3Ge实用带的关键,因此,笔者从化学热力学的角度进行了探讨。