极紫外投影光刻技术

极紫外光刻最有可能成为下世纪初批量生产线宽小于01μm集成电路的技术,倍受世界各国,尤其是美国和日本两个集成电路生产大国的密切关注,近年来得到了飞速发展.先后在极紫外光刻用无污染“碎片”激光等离子体光源、高反射率极紫外多层膜制备技术、面形精度达亚纳米表面粗糙度均方根值小于03nm的非球面超光滑表面加工与检测技术、无应力光学装校与调整、缺陷密度极小的反射式掩模、适于极紫外光曝光的表面成象光刻胶技术和稳定性达纳米量级工作台与对准精度达15nm对准系统等关键技术上取得了重要进展.已用极紫外光刻实验装置制作出线宽达01μm的门电路,整个制作过程除光刻外,其他技术都是现有的集成电路制作技术.01μm线宽门电路研制成功表明极紫外光刻技术适合与现有其他技术相匹配,适合大批量生产,是现有光刻技术的合理延续.我国在极紫外投影光刻各单元技术研究中有相当基础,在适当资助下,完全可以发展我国自己的极紫外投影光刻技术.