Gd膜在Ni(110)上生长的同步辐射研究

应用同步辐射(hν=100eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110)表面上的生长过程.发现了随着Gd膜厚度的增加,Gd(4f)谱带由位于85eV的单峰向位于85和108eV的双峰结构转变.Gd(4d)峰亦有类似的结果.该表面在600K高温退火引起了Gd4f和4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失.对室温下Gd在Ni(110)面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd4f和4d高结合能峰的本质进行了讨论.