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, PP. 1273-1277
Keywords: 纳米镶嵌复合薄膜,射频共溅,光吸收,量子限域
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采用射频共溅技术制备了InAs-SiO2镶嵌复合薄膜,透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律.结果表明,随着衬底温度的提高,复合薄膜中InAs的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变.测量了该复合薄膜室温光吸收谱,观察到了吸收边发生较大蓝移的现象,并用量子取域理论对这种现象进行了解释.
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