镶嵌在SiO2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备

用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2薄膜中的纳米InSb颗粒.透射电子显微镜观察表明,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2介质中.通过控制热处理的条件,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒.InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比,但是并不满足t1/3的关系.另外,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSbSiO2复合薄膜的结构和成分进行了分析