阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为

阿霉素(ADM)在0.005mol·L-1Tris/0.05mol·L-1NaCl溶液中,在Co/GCE上有一灵敏的还原峰,峰电位为-0.62V(对SCE).峰电流与ADM的浓度有关.用线性扫描和循环伏安等手段研究体系的电化学行为,实验表明,电极过程是受吸附控制的准可逆过程,注入的钴催化了ADM的还原.根据Laviron吸附理论,求得电极反应速率常数k0=2.15s-1,电荷转移系数α=0.62.用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段,对离子注入修饰电极表面的元素组成、价态和深度分布进行测定.钴离子确实被注入在GCE表面.并初步认为,被注入的Co形成的Co-C催化ADM在电极上的还原.