铝掺杂对硅基薄膜电致发光的影响

采用双离子束共溅射技术,通过对由Al,Si和SiO2组成的复合靶的溅射制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO).其中铝和硅在薄膜中的含量可通过改变靶面上铝和硅所占的表面积来调节.在所有的样品中,在可见光范围均观察到仅有一个位于510nm的电致发光(EL)谱峰.实验结果表明,在一定的工艺条件下适量的掺铝可明显地改善EL的启动电压及发光强度.