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ISSN: 2333-9721
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科学通报  2009 

InP基UTC-PD的理论分析与模拟

, PP. 3092-3096

Keywords: 光电子学,光电探测器,单行载流子,磷化铟,器件模拟

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Abstract:

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14?μm×1μm、反偏电压为2V时,光电流响应的线性动态范围达60mW,响应度和?3dB带宽分别为0.16A/W和40GHz.当输入光脉冲宽度为10ps时,光电流响应的峰值达1.3mA,半峰全宽(FWHM)为28ps.

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