SmOx/Rh(100)模型表面的制备与性质

应用Auger电子能谱(AES),X射线光电子能谱(XPS)和程序升温热脱附谱(TDS)研究了SmOx/Rh(100)模型表面的制备及CO在该表面的吸附.Sm和氧的强亲合作用引起了Sm在表面的强烈偏析.氧化表面的高温热处理,导致SmOx在Rh(100)表面的进一步聚集.与120K吸附在清洁Rh(100)表面的CO的热脱附谱相比较,吸附在SmOx/Rh(100)表面的CO的热脱附谱中在176,331和600K出现了新的脱附峰.其中位于176K的脱附峰可归属于吸附在SmOx岛上的CO的脱附,而位于331,600K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关,可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周边界面Rh原子上的CO的脱附.