非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比

过去的几年中,由于1.31和1.55？μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用,磷化铟(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后又一重要的化合物半导体材料.与GaAs相比,InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强的抗辐射能力等优点,因此更适合于制造高频、高速、大功率及外层空间用微波器件和电路[1~3].从实际使用的情况看,n和p型InP衬底的性能已基本满足要求,而半绝缘类型衬底则无论从一致性还是均匀性方面都需要较大程度地改善.相应地,这种改善的途径和方法已成为半导体材料的研究热点之一[4~9].