面状分布缺陷谐振环对左手材料微波效应的影响

研究了面状分布缺陷开口谐振环(splitringresonators,SRRs)组对三维左手材料的微波透射行为的影响.用电路板刻蚀技术制备了以六边形SRRs与金属铜Wires组合为结构单元的三维左手材料样品,利用波导法测量了含有不同空间取向面缺陷SRRs构成的三维左手材料X波段(8~12GHz)微波透射行为.实验表明,相对于无缺陷情形,面缺陷的引入使谐振峰谐振频率移动,且红移、蓝移的情况都存在;谐振强度明显下降,最多达到19.3dB,相当于原来的46%;通频带宽在[315~817.5MHz]范围变化.面缺陷的存在破坏了材料的周期性结构,导致形成新的电磁谐振条件、谐振峰发生变化.不同空间取向的面缺陷对材料周期性结构改变程度不同,其缺陷效应差异较大.相对于点缺陷、线缺陷,面缺陷效应更强.