非晶态硅(a-Si)薄膜结构弛豫现象的观测

非晶硅薄膜的结构与制备条件及工艺过程有着密切的联系,它对薄膜的基本性质起着决定性作用。近几年来,我们使用常规X射线衍射手段对用GD法、CVD法及PCTD法淀积的a-Si薄膜结构和