ZrC和ZrB2掺杂对PIT法制备MgB2带材的影响

采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段,重点研究了ZrC和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响.结果显示,ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低,临界转变温度保持不变;ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度,而临界转变温度略微下降了0.5K.实验结果表明,采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.