用扫描电子显微镜研究半导体p-n结的结区光电特性

扫描电子显微镜(SEM)具有高分辨能力和多种功能,这使它在固体物理,特别是半导体物理与工艺的研究工作中占有重要地位。扫描电镜是形貌观察与微区组份分析的有效工具,这已为人们所熟知。然而扫描电镜在研究微区光电特性方面却有很大潜力。本工作的目的就是为了发掘这种潜力,进而得到关于半导体微区晶体结构、能带结构、结区光电特性与少子运动情况的信息。