GLTGS晶体生长及其热释电性能

根据结构与性能的关系,选择胍基乙酸作为掺质,采用水溶液降温法生长了GLTGS晶体,发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化.对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量.结果表明,掺质显著地增强了晶体的热释电效应,与纯TGS晶体相比,GLTGS晶体在20~30℃的温度范围内,热释电系数增加了49.3%~55.8%,品质因子增加了35.4%~49.3%.另外,经过测量晶体的电滞回线发现,在相同条件下,GLTGS晶体的矫顽电场比纯TGS晶体约增大一倍,