利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质

利用化学气相沉积法(chemicalvapordeposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnON薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm-3,电阻率为0.04706Ω·cm,迁移率为259cm2/(V·s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.