双向IGBT理论模型及其封装形式可行性研究

针对常规IGBT在应用中存在的一些不足,提出了一种五层四端结构的新型双向IGBT功率半导体器件,其核心是以平面栅型IGBT为基础,通过对新器件采取对称结构和两路输入控制的方法,从而达到对新器件双向控制的目的。文中详细分析了它的原理,首先推导该双向IGBT的理论模型及其控制策略,然后建立实验电路验证,最后对该双向IGBT的封装形式做了一定的探讨。综合分析的结果表明,该双向IGBT具备双向导通和双向阻断能力,文中提出的双重关断方案,不但能有效减小器件在关断时的拖尾电流,还能提高器件的工作频率。