全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...

反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究

, PP. 129-133

Keywords: 反向开关晶体管,功率半导体器件,通态峰值压降,二极管

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。

References

[1]  李维波, 毛承雄, 李启炎, 等. 神光& #x02162; 强激光能源模块测量线圈研究[J]. 中国电机工程学报, 2003, 23(5): 53-57.
[2]  Grekhov I V. Theory of quasi-diode operation of reversely switched dynistors[J]. Solid-state Electronics, 1988, 31(10): 1483-1491.
[3]  power semiconductor nanosecond opening switched[J]. IEEE Transaction on Plasma Science, 2000, 28(5): 1540-1544.
[4]  余岳辉, 梁琳, 李某涛, 等. 超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究[J]. 电工技术学报, 2005, 20(2): 36-40.
[5]  Heesch E J M, Yan K, Pemen A J M, et al. Matching repetitive pulsed power to industrial processes[J]. IEEE Transactions on FM, 2004, 124(7): 607-611.
[6]  邵涛, 袁伟群, 孙广生, 等. 常压下重频纳秒脉冲气体放电试验研究[J]. 中国电机工程学报, 2005, 25(8): 161-166.
[7]  Korotkov S V. Switching possibilities of reverse switched-on dynistors and priciples of RSD circuitry (review)[J]. Instruments and Experimental Techniques, 2002, 45(4): 437-470.
[8]  Grekhov I V, Kozlov A K, Korotkov S V, et al. High-voltage RSD switches of submegaampere current pulses of microsecond duration[J]. Instruments and Experimental Techniques, 2003, 46(1): 48-53.
[9]  Grekhov I V, Mesyats G A. Physical basis for high-
[10]  杜如峰, 余岳辉, 胡乾, 等. 预充电荷对RSD开通特性的影响[J]. 电力电子技术, 2003, 37(5): 84-86.
[11]  维捷斯拉夫& #x000b7; 本达, 约翰& #x000b7; 戈沃, 邓肯 A& #x000b7; 格兰特. 功率半导体器件理论及应用[M]. 北京: 化学工业出版社, 2005.
[12]  Gregor G. Investigation of the possibility to build a 400kA pulse current generator to drive a magnetic horn[C]. Switzerland: European Organization for Nuclear Research, 2000.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133