微机电系统中的矩形通道内微气泡控制生长

采用微机电系统（MEMS）硅加工工艺，设计、加工出了6种不同规格的实验用微气泡控制生长MEMS器件；构建了MEMS器件中微气泡控制生长实验系统并完成了实验，讨论了热负荷、微加热元宽度、微通道截面参数、工质流速及物性参数等对微气泡生长的影响。结果表明：同等实验条件下，加热电压幅值越高，微气泡生长速率越快；加热脉冲宽度仅对微气泡形成后的进一步生长有影响；加热条件相同的前提下，微加热元宽度越大，气泡成核所需的时间越短、微气泡生长速率越快；微通道宽度一定且高宽比大于1的条件下，高宽比越小，后期微气泡生长速率越慢；微流体的流速越高，微气泡生长始点越晚、生长速率也越低。相同实验条件下，R113、FC-72、去离子水三者中，R113中微气泡生长始点最靠前、生长速率最快，去离子水中微气泡生长最靠后、生长速率最慢。