氧化亚铜纳米线的制备及其光电性能

：通过电沉积法在阳极氧化铝模板中制备了Cu2O纳米线，利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Cu2O纳米线的组成和形貌进行了表征，并测试了Cu2O/AAO阵列体系的光电压、交流阻抗性能。测试结果表明，制备的Cu2O纳米线的直径约120nm，长约2μm；Cu2O/AAO阵列体系在紫外灯(365nm)照射下，光电压约25mV,阻抗值大大减小。