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化工学报 2004
单晶硅上电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应, PP. 414-417 Abstract: 采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜，调制波长从200nm到5nm不等.用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征.采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻（GMR）效应，研究了GMR与调制波长（λ）、铜的子层厚度（δCu）的关系：λ较大时，没有观察到明显的GMR效应；λ＜30nm时，GMR效应随λ减小而增大；而λ＜8nm时，GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.
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