纳米晶Pd修饰p-Si电极的制备及其光电析氢性能

在半导体p型Si上化学沉积金属Pd，制备了纳米晶Pd修饰p-Si电极.控制化学沉积的时间，可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒，沉积时间为20min时，Pd颗粒的直径约为80nm.XRD测试结果表明，Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37nm.重点研究了Pd/p-Si电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/p-Si电极的析氢过电位较无光照减小约250mV，比半导体Si减小约450mV（电流密度为2.5mA？cm-2时）.电化学交流阻抗谱（EIS）表明，光照下Pd/p-Si电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12Ω？cm2降低至442.20Ω？cm2，光照下的析氢反应速率明显增加.