3ω方法测量各向异性SiC晶体的导热系数

碳化硅晶体具有很高的导热系数,能够在高温下操作,作为有希望用于微电子机械系统的材料,引起了人们的广泛关注。本文使用3ω方法测量了各向异性材料碳化硅晶体三个不同方向的导热系数。在碳化硅晶体样品的表面布置三个位置不同,一定尺度和形状的微型Au金属探测器。每个微型Au金属探测器的温度波动情况包含样品不同方向的热信号。根据谐波法测量原理和各向异性材料碳化硅晶体的导热特性,可得到碳化硅晶体样品x,y和z方向的导热系数。使用所设计的微型金属探测器结构,首次可同时获得各向异性材料三个方向的导热系数。