GaxIn1-xN输运性质的温度特性的数值模拟

利用多粒子MonteCarlo方法对含位错GaxIn1-xN材料的输运性质进行了研究,计算表明材料的漂移速度随温度升高而降低,InN的漂移速度的温度特性优于GaN.GaN和InN的迁移率在相同温度范围内随温度的变化趋势不同,同时位错密度对材料迁移率的温度特性影响较大。