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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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高压下Al的零温电子结构和物态方程
DOI: 10.11858/gywlxb.1994.04.005, PP. 272-278
Keywords: 高压,物态方程,电子结构
Abstract:
用LMTO法（线性Muffin-Tin轨道法），计算了金属铝的超高压电子结构及零温物态方程。Al的压缩比到10，压力达10TPa。根据第一原理计算结果，在带结构方面，s带总是处于Fermi能以下，随着压力的增加，s、p和d的带宽增加，随后则杂化程度增加，所以s、d轨道的电子占据数连续变化。上述变化对压力的影响也是连续的，换言之，从s→d转变没有理由说明Al在0.5TPa附近冲击Hugoniot的斜率的拐弯现象。而这一点则是与Altshuler的观点不同。物态方程的第一原理计算结果表明，bcc结构比fcc结构要软，但因差别不很大，即使发生fcc→bcc的转变，也不会引起Hugoniot的质的变化（拐弯）。Al的LMTO物态方程还表明，我们以前所采用的半经验的冷压误差可达30%。为此，根据LMTO结果，给出新的冷压表达式p=∑#em/em#=05aiδi/3，δ=Ω0/Ω，其中a0=-7.32779，a1=18.7543，a2=10.2097，a3=-2.52353，a4=-4.7872，a5=6.06594，拟合误差小于3%。
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