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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变
DOI: 10.11858/gywlxb.2000.01.005, PP. 28-32
Keywords: 电阻,电容,状态方程,相变
Abstract:
在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe（x=0.19，0.22）在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明：它们分别在0.7～1.8GPa与8.6GPa左右以及在1.6GPa左右与8.3GPa左右发生了两次电子结构相变；分别在2GPa左右与8.6GPa以上以及在1.6GPa左右与8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时，还在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe（x=0.21）在室温下、4.5GPa内的p-V关系。实验结果发现它在2.1GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程。
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Full-Text
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