先驱体转化法制备SiCO陶瓷粉体的氧化性能

以先驱体转化法制备的SiCO陶瓷粉体为原材料，采用热重法研究了粉体在干燥空气中的氧化性能。采用液态聚碳硅烷裂解制备的SiCO陶瓷粉体平均粒径为7μm，氧化处理温度分别为：900℃、950℃、1000℃、1050℃，氧化时间均为4h。结果表明：液态聚碳硅烷裂解制备的SiC1.12O0.12陶瓷粉体在1173～1373K、干燥空气中，氧化增重表现为典型的2阶段变化规律：900℃下的前80min至1050℃下的前20min时间内，材料氧化表现为快速增重趋势；随后较长的氧化时间里，材料内部气孔的氧化由于封孔而停止，氧化反应主要由扩散控制，样品增重不太明显。经计算SiCO陶瓷粉体的氧化活化能为121kJ/mol，并在此基础上推导了热重法与厚度测量法获得的2种氧化速率常数的转变公式。