Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido) Planar Microelectrode Array with CMOS Standar Process (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)

Se presenta el dise o e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 μm. El dise o incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de se ales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm2 haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica. The design and the on-chip integration of planar microelectronic array and the read-out circuit implemented by 0.6 μm CMOS process (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), is presented. The design includes a shielding ring around the microelectrode array and a control for a tunable low pass filter, which are made with a CMOS transmission gate operating in subthreshold region. This is achieved by varying the gate voltage in a range from 400 to 800 mV for a frequency range of 1 to 1KHz. The performance of the circuit with a voltage supply ± 1.5 V was 40dB gain, 44 dB PSRR (power supply rejection ratio) and 87 dB CMRR (common-mode rejection ratio), in an area of 0.014mm2, showing that the system is a good alternative for biological applications.