Studi Penumbuhan Sistem Nanoisland Quantum Dot GaSb/GaAs Dengan Metoda MOCVD Vertikal

GaSb tanpa dadah merupakan semikonduktor type p yang potensil untuk peralatan elektronik yang bekerja pada daerah Infra merah karena mempunyai celah pita energi langsung dengan mobilitas cukup besar dan koefisien hole elektron tinggi. GaSb dalam bentuk dot telah ditumbuhkan menggunakan metoda MOCVD pada tekanan rendah ( 50 Torr), tempertaur 540oC dengan ratio V/III = 1,2. Penumbuhan dilakukan dengan mengubah-ubah waktu penumbuhan. Hasil yang diperoleh mempunyai ukuran u antara 60 nm sampai 120 nm dengan kerapatan dot meningkat dengan lamanya penumbuhan.