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科学通报 2007
Ce:KNSBN晶体中的光扇效应及其图像存储Keywords: Ce：KNSBN晶体,光扇效应,阈值特性,图像存储 Abstract: 采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置，以单束光入射Ce：KNSBN光折变晶体，研究了入射光强度和光入射角对Ce：KNSBN晶体中光扇效应的影响．研究发现，光扇效应存在明显的入射光强度阚值特性，入射光强度阈值为38．2mW／cm^2；对应相同的入射光强度，光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强．研究了入射光调制对晶体中光扇噪声及体全息存储的影响，入射光调制抑制了光扇噪声对Ce：KNSBN晶体两波耦合及体全息存储的影响，使得再现图像质量得到了明显改善．
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