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ISSN: 2333-9721
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科学通报  1998 

InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究

Keywords: 半导体激光器,自锁模特性,InGaAs,磷化铟

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Abstract:

Spence1]在掺钛蓝宝石激光中实现了自锁模,它的诞生,使超短脉冲激光进入了新阶段.近年来,Cr4 :YAG,Cr:LiSrLF6等固体材料也实现了激光的自锁模运转。无论是以InGaAs/InP量子阱材料2,3]或InGaAs/InP体材料为激活介质,在外腔工作条件下,采用锁模Nd:YAG(1.3μm)激光同步泵浦,都曾获得高功率窄脉冲运转,这里介绍一种InGaAs/InP体材料在连续的Nd:YAG激光泵浦下,采用外腔结构实现自锁模运转的实验结果,我们所使用的实验装置结构是如图1(b)所示的外腔面发射InGaAs/InP半导体…

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