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Keywords: 碳纳米管膜,压阻效应,气相沉积法,3点弯曲法,压阻因子,传感器件
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对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究.实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成,压阻效应用3点弯曲法测量.研究发现:在室温下与500微应变时,碳纳米管膜的压阻因子至少是65,超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30。并且,碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大,还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制。
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