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作者曾报道了1-乙烯基杂氮硅三环化合物结构的XPS研究,证实了分子中N→Si配位键的存在;在另文中还研究了这类化合物分子中不同取代基R对N→Si配位键强度的影响并做了EHMO(广义Hückel分子轨道)理论计算处理,计算结果能很好地预言N→Si配位键的强度。
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