无显影气相光刻的研究

我们曾发现一重要现象,如果我们将硅片表面氧化或淀积一层SiO_2,然后在其上涂布一层光刻胶,如聚乙烯醇肉桂酸酯,加图形(掩膜)经紫外光曝光后,将其置于由N_2携带的HF,H_2O气氛中,在较高温度下经一定时间后,在曝光区胶膜下部的SiO_2可被腐蚀尽,而非曝光区胶膜下部的SiO_2可