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金属学报 2006
PREPARATION OF ALUMINIUM DOPED ZINC OXIDE FILMS AND THE STUDY OF THEIR MICROSTRUCTURE, ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES
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Abstract:
采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度越高,多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强,并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大,透光率增加.薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构.在掺杂浓度1%(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下,得到了电阻率为3.2×10-3Ω·cm、可见光区的平均透射率超过90%的AZO薄膜.