PREPARATION OF Cu-In FILM BY ELECTRODEPOSITION UNDER CONSTANT CURRENT
恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜

以金属Ti为阳极，不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极，采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1：1、厚度为1μm且致密均匀的CU—In薄膜．分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响．在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下，采用不同阴极材料为衬底沉积Cu—In薄膜时，薄膜形貌、成分无差别，且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用．此外，在镀液离子低浓度范围内，及Cu／In离子浓度比不变的前提下，镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌；十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂，能改善薄膜形貌，使其表面均匀、规整．由该方法制备的CU—In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜．