用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究

1引言 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)三元合金化合物半导体是一种重要的红外探测器材料.通过调节其组分x值的大小,可以连续改变其禁带宽度(从0eV～1.6eV),从而获得几乎覆盖整个红外区域的响应波长.现在,用碲镉汞制备的红外探测器在军事、民用等领域已经得到了广泛的应用.从20世纪70年代末第一代红外探测器的出现到现在的大规模红外焦平面器件的研制成功,都说明高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.与其他外延技术相比,分子束外延技术在表面型貌的质量、组分厚度均匀性上具有独到的优势1].