OPTICAL PRO PERTIES AND BAND LINEUP IN GaNxAs1-x/GaAs SINGLE QUANTUM WELLS
GaNxAs1—x／GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

用光荧光谱（PL）研究了GaNxAs1-x/GaAs单量子阱（SQW）的光跃迁性质和带阶，通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系，发现GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中的发光是本征带－带跃迁，并且低温发光是局域激子发光，通过自渝计算发现它的导带带阶（△Ec）与氮含量的关系不是纯粹的线性关系，其平均变化速率（0．110eV/N％）比文献中报道的要慢得多（0．156－0．175eV/N％），此外发现Qc（＝△Ec/A△Eg）随氮含量的变化很小，用Q≈x^0.25来表示，还研究了GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数（b）的影响。