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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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PHOTOLUMINE SCENCE CHARACTERIZATION IN GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征

Keywords: quantum well infrared photodetectors,multi,quantum well,photoluminescence,peak response wavelength
量子阱
,红外探测器,多量子阱,峰值响应波长,显微荧光光谱,铝组分,势阱宽度,GaAs,AlGaAs

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Abstract:

对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值,并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的结果相比吻合良好,这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。

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