半绝缘GaAs：Cr晶体1.06μm三波混合研究

从理论和实验上研究了半绝缘掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）晶体在１．０６μｍ波长处的两种简并三波混合的增益特性。利用位移光栅及外加电场等技术，实现了双信号独立的纯放大，利用双泵浦提高了单一信号的放大倍数。