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Keywords: infrared ellipsometric spectroscopy,refractive index,GaAs bulk material红外椭圆偏振光谱,折射率,GaAs体材料
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报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量GaAs体材料折射率,测量范围为2.5~12.5μm,并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比,表明了实验结果的可靠性.
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