SiO_2α辐照热释光的研究

通过测量高纯光纤用非晶SiO_2和高纯精制石英晶矿经α射线辐照后产生的2.6eV热释发光(50～450℃),讨论了α射线在SiO_2中产生缺陷的机制、E′心基态电子陷阱的分布及辐射热释光的紫外猝灭。确定了高纯晶体石英颗粒的热释发光具有三个本征峰。