低温强磁场测量下N-InSb材料的补偿度

在温度4.2～77K、磁场强度0～5T、不同电场强度条件下,对不同参数材料的样品进行了物理测试。在低温、弱电场下即欧姆电场区,以横向磁场和温度作为可变外界条件,采用平衡法,测得N型InSb样品在“磁冻出”状态下霍尔电压和电阻电压随温度的变化,利用“磁冻出”区的磁阻和霍尔效应求得导带电子浓度随温度的变化。且利用Putley的导带电子浓度与温度、磁场强度和材料掺杂量的关系式,求得N型InSb材料的补偿度。