薄膜的离子束辅助淀积及离子轰击后处理工艺研究

本文详述了离子束辅助淀积薄膜及离子轰击后处理薄膜的工艺装置。用新一代的离子源系统作为离子轰击源,e型电子枪为膜料的热蒸发源。首先进行离子辅助淀积工艺研究。用离子辅助淀积和常规淀积方法制备ZnS/MgF_215层(HL)~4(LH)~4单半波窄带滤光片。两种样品镀制后立即进行测试其曲线和放置18天后