热处理NTD CZ Si的红外吸收光谱

本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火行为和本质,以及中子辐照缺陷与间隙氧随退火温度变化的关系。